导热陶瓷片可依客户要求做镀金属处理,导热性能优良。
氮化铝陶瓷片(AIN)是新型功能电子陶瓷材料,是以氮化铝粉作为原料,采用流延工艺,经高温烧结而制成的陶瓷基片,具有氮化铝材料的各种优异特性,符合封装电子基片应具备的性质,是高密度,大功率,多芯片组件等半导体器件和大功率,高亮度的LED基板及封装材料的关键材料,被认为是最理想的基板材料,广泛应用于通讯器件、高亮度LED、电力电子器件等行业。
氮化铝陶瓷基板的性能特点:
1、热导率高,是氧化铝陶瓷的5-10倍。
2、热膨胀系数(4.5-10-6/℃)与半导体硅材料(3.5-4.0-10-6/℃)匹配。
3、机械性能好,抗弯强度高,接近氧化铝。
4、电学性能优良,具有极高的绝缘电阻和低的介质损耗。
5、电路材料的相容性好,可以进行多层布线,实现封装的高密度和小型化。
6、无毒、环保。
氮化铝陶瓷产品处理形式:
1、可根据客户需求做表面金属化镀金、镀银、镀铜等金属,其导热效果更好。
2、常规类陶瓷产品可做抛光处理(可进行单、双面抛光),抛光之后的表面光洁度为Ra:0.02-0.05μm,无孔洞现象。
3、其他处理方式可依客户的图纸要求加工。
氮化铝陶瓷产品加工形式:
1、开模具加工:除激光加工外的产品都需要开模具加工。
2、激光加工产品:根据客户要求,采用激光产品(氮化铝、氧化铝、氧化锆等)进行划线、打孔及开糟加工,激光打孔最小孔径0.05mm,激光切割厚度2mm以下,其产品加工精度高,重复性好。
产品应用:
氮化铝陶瓷基板广泛应用于混合集成电路互连基板、 微波器件、 光电通信、 传感器、 MCM等领域。包括光电器件基板、陶瓷载体、激光器载体、片式电容、片式功率分配器、传感器、又指电容和螺旋电感等。
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